Скачать книги автора «Юрий Владимирович Колковский»

В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию методов входного и технологического контроля при разработке и производстве СВЧ транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN. Рассмотрены системы отечественных и зарубежных стандартов, на основе которых проводятся разработки СВЧ транзисторов. Подробно описаны физические основы гетероструктур, описаны свойства широкозонных полупроводников, методы изготовления СВЧ транзисторов. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Рассмотрены электрические, оптические, рентгеновские, электронно-микроскопические и аналитические методы, которые применяются при входном и технологическом методах контроля. Рассмотрен опыт создания в ОАО «НПП „Пульсар“ СВЧ транзисторов и СВЧ блоков на их основе.

Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.

Методические указания содержат описание лабораторных работ по курсу «Методы исследования материалов и структур микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники».

В сборнике представлены лабораторные работы по электрическим, оптическим, рентгеновским и электронно-микроскопическим методам контроля свойств материалов и структур, применяющихся в технологии микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники.

Материал предназначен для магистров дневного отделения с направлением подготовки по специальности 11.04.04, а также может быть использован аспирантами с направлениями подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06, научными работниками и инженерами базового предприятия.