Скачать книги автора «Сергей Юрьевич Юрчук»

Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

Данный курс лекций является частью курса “Моделирование технологических процессов”. В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов.

В учебном пособии рассматриваются методы решения задач линейных и нелинейных уравнений, методы теории приближения функций, численное дифференцирование и интегрирование, решение обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирование процессов диффузии на языке Visual Basic 6.0; содержится практическое руководство объектно-ориентированного программирования на языке Visual Basic 6.0.

В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника».

Цель курса лекций – ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временно'м интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

Приведено описание нринцинов работы основных онтоэлектронных нолунроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики онтоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров.

Лекции включают описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и лазеров. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Электронные свойства твердого тела» и «Электронные и оптические свойства твердых тел». Предназначен для бакалавров, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

Представлены основные физические принципы формирования оптического излучения в полупроводниковых структурах, а также условия его усиления и генерации. На основе представленных физических принципов показаны подходы к разработке и оптимизации конструкции светодиодных и лазерных оптоэлектронных приборов.

Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся в бакалавриате по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов – фотодиодов, фотопреобразователей, фототранзисторов, оптопар и светодиодов. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по дисциплинам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».