Скачать книги автора «Андрей Александрович Бычков»

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.

Монография подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного

распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,

учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного

алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.

Монография подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного

распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое,

учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного

алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.

Монография подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

В книге рассматриваются вопросы устойчивости однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала и воздействии на него электрического тока и растворенного водорода. Сформулированы системы уравнений описывающих

пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости. Исследована устойчивость однородного решения полученных систем дифференциальных уравнений в частных производных и выполнен численный расчет

эволюции механических и тепловых полей в исследуемом стержне. Методика исследования включает в себя использование математической теории пластичности, теории устойчивости Рауса-Гурвица, игорной теории, метода конечных разностей. Особое внимание уделено

подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы управления деформированием с помощью электрического тока в реальных условиях наводороженного образца. Монография

подготовлена в Южном федеральном университете.

Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.

Рассмотрены модели релаксации полупроводниковой пленки на подложке и однородного деформирования при растяжении стержня из термовязкопластичного материала. Учитывается изменение упругой энергии несоответствия за счет дислокационной перестройки и

механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации в пленке и пластическое деформирование пористого стержня с учетом действия электрического тока и водородной хрупкости.

Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых

дислокаций.

Пособие содержит основные сведения по вопросу надежности информационных систем. Изложены основные понятия и определения теории надежности. Рассмотрены случаи анализа статистических данных, аналитического определения характеристик надежности, последовательного соединения элементов в систему, постоянного резервирования, невосстанавливаемых систем и систем с восстановлением. Приведены примеры расчета надежности систем. Пособие содержит набор индивидуальных заданий и лабораторных работ. Предназначено для бакалавров направления «Прикладная информатика» ЮФУ.